Mga produkto

GaSe Crystal

Gallium Selenide (GaSe) non-linear optical single crystal, pinagsasama ang isang malaking non-linear coefficient, isang mataas na threshold ng pinsala at isang malawak na hanay ng transparency.Ito ay isang napaka-angkop na materyal para sa SHG sa kalagitnaan ng IR.
ZGP(ZnGeP2) Mga Kristal

ZGP crystals na nagtataglay ng malalaking nonlinear coefficients (d36=75pm/V), malawak na infrared transparency range(0.75-12μm), mataas na thermal conductivity(0.35W/(cm·K)), mataas na laser damage threshold (2-5J/cm2)at well machining property, ZnGeP2 crystal ay tinawag na hari ng infrared nonlinear optical crystals at ito pa rin ang pinakamahusay na frequency conversion material para sa high power, tunable infrared laser generation.Maaari kaming mag-alok ng mataas na optical na kalidad at malalaking diameter na ZGP crystals na may napakababang absorption coefficient α < 0.05 cm-1(sa pump wavelength 2.0-2.1 µm), na maaaring magamit upang makabuo ng mid-infrared tunable laser na may mataas na kahusayan sa pamamagitan ng OPO o OPA mga proseso.
AGSe(AgGaSe2) Crystals

AGSeAng mga kristal ng AgGaSe2 ay may mga gilid ng banda sa 0.73 at 18 µm.Ang kapaki-pakinabang na hanay ng paghahatid nito (0.9–16 µm) at malawak na kakayahan sa pagtutugma ng bahagi ay nagbibigay ng mahusay na potensyal para sa mga aplikasyon ng OPO kapag nabomba ng iba't ibang mga laser.Ang pag-tune sa loob ng 2.5–12 µm ay nakuha kapag nagbomba gamit ang Ho:YLF laser sa 2.05 µm;pati na rin ang non-critical phase matching (NCPM) na operasyon sa loob ng 1.9–5.5 µm kapag nagbobomba sa 1.4–1.55 µm.Ang AgGaSe2 (AgGaSe2) ay ipinakita bilang isang mahusay na dalas ng pagdodoble ng kristal para sa infrared CO2 lasers radiation.
AGS(AgGaS2) na mga kristal

Ang AGS ay transparent mula 0.50 hanggang 13.2 µm.Bagama't ang nonlinear optical coefficient nito ay ang pinakamababa sa mga nabanggit na infrared na kristal, ang mataas na short wavelength na transparency edging sa 550 nm ay ginagamit sa mga OPO na nabomba ng Nd:YAG laser;sa maraming pagkakaiba sa dalas ng paghahalo ng mga eksperimento sa diode, Ti:Sapphire, Nd:YAG at IR dye lasers na sumasaklaw sa 3–12 µm range;sa direct infrared countermeasure system, at para sa SHG ng CO2 laser.Ang manipis na AgGaS2 (AGS) crystal plate ay sikat para sa ultrashort pulse generation sa kalagitnaan ng IR range ayon sa difference frequency generation na gumagamit ng NIR wavelength pulse.
BGSe(BaGa4Se7) Mga Kristal

Ang mga de-kalidad na kristal ng BGSe (BaGa4Se7) ay ang selenide analogue ng chalcogenide compound na BaGa4S7, na ang acentric orthorhombic na istraktura ay nakilala noong 1983 at ang IR NLO effect ay naiulat noong 2009, ay isang bagong binuo na kristal na IR NLO.Nakuha ito sa pamamagitan ng Bridgman–Stockbarger technique.Ang kristal na ito ay nagpapakita ng mataas na transmittance sa malawak na hanay ng 0.47-18 μm, maliban sa isang peak ng pagsipsip sa paligid ng 15 μm.
BGGSe(BaGa2GeSe6) Mga Kristal

Ang BaGa2GeSe6 crystal ay may mataas na optical damage threshold (110 MW/cm2), isang malawak na spectral transparency range (mula 0.5 hanggang 18 μm) at isang mataas na nonlinearity (d11 = 66 ± 15 pm/V), na ginagawang talagang kaakit-akit ang kristal na ito para sa dalas ng conversion ng laser radiation sa (o sa loob) ng mid-IR range.