English
  • KTP Crystal

    KTP Crystal

    Ang Potassium Titanyle Arsenate (KTiOAsO4), o KTA crystal, ay isang mahusay na nonlinear optical crystal para sa Optical Parametric Oscillation (OPO) na aplikasyon.Ito ay may mas mahusay na non-linear optical at electro-optical coefficients, makabuluhang nabawasan ang pagsipsip sa 2.0-5.0 µm na rehiyon, malawak na angular at temperature bandwidth, mababang dielectric constants.

  • Cr2+: ZnSe

    Cr2+: ZnSe

    Ang Cr²+:ZnSe saturable absorbers (SA) ay mainam na materyales para sa mga passive Q-switch ng eye-safe fiber at solid-state laser na gumagana sa spectral range na 1.5-2.1 μm.

  • ZnTe Crystal

    ZnTe Crystal

    Ang Zinc Telluride ay isang binary chemical compound na may formula na ZnTe.Ang DIEN TECH ay gumagawa ng ZnTe na kristal na may kristal na axis <110>, na isang perpektong materyal na inilapat upang magarantiya ang isang pulso ng dalas ng terahertz sa pamamagitan ng isang nonlinear na optical na proseso na tinatawag na optical rectification gamit ang high-intensity light pulse ng subpicosecond.Ang mga elemento ng ZnTe na ibinibigay ng DIEN TECH ay walang kambal na mga depekto.

  • Fe:ZnSe/Fe:ZnS

    Fe:ZnSe/Fe:ZnS

    Ang Fe²+:ZnSe Ferrum doped zinc selenide saturable absorbers (SA) ay mainam na materyales para sa mga passive Q-switch ng solid-state laser na tumatakbo sa spectral range na 2.5-4.0 μm.

  • Mga PPKTP Cystal

    Mga PPKTP Cystal

    Ang pana-panahong poled potassium titanyl phosphate (PPKTP) ay isang ferroelectric nonlinear na kristal na may natatanging istraktura na nagpapadali sa mahusay na conversion ng frequency sa pamamagitan ng quasi-phase-matching (QPM).
  • HgGa2S4 Crystal

    HgGa2S4 Crystal

    Ang mataas na halaga ng laser damage threshold at conversion efficiency ay nagbibigay-daan sa paggamit ng Mercury Thiogallate HgGa2S4(HGS) na mga non-linear na kristal para sa pagdodoble ng dalas at OPO/OPA sa hanay ng wavelength mula 1.0 hanggang 10 µm.Itinatag na ang kahusayan ng SHG ng CO2laser radiation para sa 4 mm na haba ng HgGa2S4ang elemento ay humigit-kumulang 10 % (pulse duration 30 ns, radiation power density 60 MW/cm2).Ang mataas na kahusayan ng conversion at malawak na hanay ng radiation wavelength tuning ay nagbibigay-daan sa asahan na ang materyal na ito ay maaaring makipagkumpitensya sa AgGaS2, AgGaSe2, ZnGeP2at mga kristal ng GaSe sa kabila ng malaking kahirapan ng proseso ng paglago ng malalaking sukat ng mga kristal.

<< < Nakaraan123456Susunod >>> Pahina 3 / 11
Pindutin ang enter para maghanap o ESC para isara